TM_597

14|10|2024 #597 13 Εκδότης Αργύρης Νομικός arnomikos@tech-mail.gr Διευθύντρια Έκδοσης Βασιλική Χονδροδήμου v.chondrodimou@librapress.gr Διευθυντής Σύνταξης Σωτήρης Χατζηστρατής Σύνταξη Ελένη Μιχαηλίδου Βασίλης Κατσιαούνης Χάρης Ματθαίου Νίκος Δρικάκης Συνεργάτες Παύλος Κερασίδης Ανταποκριτής Β. Ελλάδας Κώστας Παπαζαχαρίου Καλλιτεχνική Επιμέλεια Σωτήρης Ανδρίτσος Web Developer Λευτέρης Χαμακιώτης Νομική Υποστήριξη Βασιλική Κέντογλου Λογιστήριο Χρύσα Τσιαντούλα fin@librapress.gr ΙΔΙΟΚΤΗΣΙΑ Καυκάσου 145,113 64, Αθήνα, Τηλ.: 210-8815417, Fax: 210-8815416 e-mail: info@tech-mail.gr Site: www.tech-mail.gr Product N ews Samsung V-NAND QLC 9ης γενιάς V-NAND για προηγμένες λύσεις SSD Η Samsung Electronics α νακοίνωσε ότι έχ ει ξεκινήσει τη μαζική παραγωγή της 9ης γενιάς NAND (V-NAND) τετραπλής κυψέλης (QLC) 1TB. Η Samsung σχεδιάζει να επεκτείνει τις εφαρμογές της QLC 9ης γενιάς V-NAND, ξεκινώντας με επώνυμα καταναλωτικά προϊόντα και συνεχίζοντας στους φορητούς Universal Flash Storage (UFS) υπολογιστές και SSD διακομιστών για πελάτες, συμπεριλαμ- βανομένων των παρόχων υπηρεσιών cloud. Η QLC 9ης γενιάς V-NAND της Samsung συνδυάζει μια σειρά από καινοτομίες που έχουν οδηγήσει σε τε- χνολογικές προόδους: • Το Channel Hole Etching της Samsung χρησιμοποι- ήθηκε για την επίτευξη του μεγαλύτερου αριθμού στρωμάτων στον κλάδο με δομή διπλής στοίβας. Αξιοποιώντας την τεχνογνωσία που προήλθε από την TLC 9ης γενιάς V-NAND, η περιοχή των κυψελών και τα περιφερειακά κυκλώματα έχουν βελτι- στοποιηθεί, επιτυγχάνοντας κορυφαία πυ- κνότητα bit, περίπου 86% υψηλότερη από εκείνη της TLC 9ης γενιάς V-NAND. • Το Designed Mold προσαρμόζει την απόσταση των Word Lines (WL), για να διασφαλίσει την ομοιομορφία και τη βελτιστοποίηση των χαρακτηριστικών σε όλα τα επίπεδα. Αυτά τα χαρακτηριστικά γίνονται ολοένα και πιο σημαντικά, κα- θώς αυξάνεται ο αριθμός των επιπέδων V-NAND. Η υιοθέτηση του Designed Mold έχει βελτιώσει την απόδοση διατήρησης δεδομένων κατά περίπου 20% σε σύγκρι- ση με τις προηγούμενες γενιές, γεγονός που βελτιώνει συνολικά την αξιοπιστία του προϊόντος. • Το Predictive Program προβλέπει και ελέγχει τις αλλαγές κατάστασης κυψέλης για να ελαχιστο- ποιήσει τις περιττές ενέρ- γειες. Η QLC 9ης γενιάς V-NAND της Samsung έχει διπλασιάσει την απόδοση εγγραφής και βελτίωσε την ταχύτητα εγγραφής και εισόδου των δεδομέ- νων κατά 60%, χάρη στην πρόοδο αυτής της τεχνολογίας. Η κατανάλωση ενέργειας που απαιτείται για την ανάγνωση και εγγραφή των δεδο- μένων μειώθηκε περίπου κατά 30% και 50% αντίστοιχα, με τη χρήση της τεχνολο- γίας Low-Power Design. Αυτή η μέθοδος μειώνει την τάση που οδηγεί τις NAND κυ- ψέλες και ελαχιστοποιεί την κατανάλωση ενέργειας ανιχνεύοντας μόνο τις απαραίτη- τες γραμμές bit (BL). Huawei Mate XT | Ultimate Design Smartphone με πιο εύκαμπτη οθόνη Η Huawei ε πιδιώκει την τεχνολογική και- ν οτομία κα ι φέρνει καλύτερες τεχνολογί- ες και προϊόντα προηγμένης τεχνολογίας στους χρήστες μέσω συνεχών επενδύσε- ων και έρευνας. Το Huawei Mate XT | Ultimate Design δια- θέτει πρωτοποριακές δυνατότητες, όπως το προηγμένο σύ- στημα μεντεσέδων ακριβείας του που περιλαμβάνει δύο μηχανισμούς που λει- τουργούν παράλληλα για να υποστηρίζουν αναδιπλώσεις, τόσο προς τα μέσα όσο και προς τα έξω. Αυτοί οι εξαιρετικά ελαφροί, βελτιωμένοι μεντεσέ- δες είναι βαθμονομη- μένοι με τη βέλτιστη ακρίβεια, για μια εξαιρετικά «ρευστή» ανα- δίπλωση. Η οθόνη του νέου smartphone είναι κατασκευασμένη από εύκαμπτα υλικά που κάμπτονται απρόσκοπτα προς κάθε κατεύθυνση και είναι ικανή να αντιστέκεται στο τέντωμα και τη συμπίεση όταν διπλώνε- ται τόσο προς τα μέσα όσο και προς τα έξω. Στη λειτουργία τρι- πλής οθόνης, η εκτε- ταμένη οθόνη προ- σφέρει καθηλωτική θέαση σε επίπεδο κ ι ν η μ α τ ο γ ρ ά φ ο υ και κάνει την περιή- γηση πληροφοριών «παιχνιδάκι». Όταν είναι διπλωμένο σε λειτουργία διπλής οθόνης, το τηλέφωνο είναι ιδανικό για ανά- γνωση άρθρων και έλεγχο e-mail. Μπο- ρεί να αναδιπλωθεί σε λειτουργία μίας οθό- νης κατά βούληση, για εργασίες, όπως κλήσεις. Είναι εξοπλισμένο με ρυθμιζόμενο φυσικό διάφραγμα 10 μεγεθών, που εξυπη- ρετεί διάφορα σενάρια λήψης.

RkJQdWJsaXNoZXIy NjE3Njcz