TM_101

4 4|7|2022 #101 Έρευνα Focus on Tech Life: Κατακόρυφη αύξηση χρήσης του Internet στη χώρα Σύμφωνα με τη νέα έκδοση της Πα- νελλαδικής Έρευνας Focus on Tech Life , οι Έλληνες γίνονται όλο και πε- ρισσότερο tech savvy, καθώς: • Η χρήση Internet στον γενικό πλη- θυσμό 13-74 χρόνων έφτασε στο 95% κάνοντας το Internet έναν «κα- θολικό κόσμο». • Τα τελευταία τρία χρόνια — μέσα στις συνθήκες covid / lockdowns — απογειώθηκε η χρήση του διαδικτύ- ου με θεαματική άνοδο στις ηλικίες άνω των 55 χρόνων, με έμφαση στη silver age των 65-74. • Οι δύο στους τρεις Έλληνες ψωνί- ζουν πλέον Online μια πλειάδα προ- ϊόντων και υπηρεσιών, και η αναλο- γία αυτή στην ηλικία 65-74 φτάνει στο 32%. • Αντίστοιχα καθολική είναι η χρήση internet και στα μικρά παιδιά 7-12 χρόνων, ενώ η χρήση ξεκινά από ακό- μα μικρότερη ηλικία με το 5-6 χρόνων να παρουσιάζει διείσδυση 74%. Η Samsung Electronics, γνωστός κατα- σκευαστής ημιαγωγών, ξεκίνησε την αρ- χική παραγωγή λιθογραφικής διεργασίας 3 νανομέτρων (nm) με την αρχιτεκτονική τρανζίστορ Gate-All-Around (GAA). Multi-Bridge-Channel FET (MBCFET) ονομάζεται η τεχνολογία GAA της Samsung, που εφαρμόζεται για πρώτη φορά, αψηφά τους περιορισμούς απόδο- σης του FinFET, βελτιώνοντας την απόδο- ση ισχύος, μειώνοντας το επίπεδο τάσης τροφοδοσίας, ενώ παράλληλα βελτιώνει τις επιδόσεις αυξάνοντας την ικανότητα ρεύματος κίνησης. Η Samsung ξεκινά την πρώτη εφαρμο- γή nanosheet τρανζίστορ με τσιπ ημια- γωγών για υψηλών επιδόσεων-χαμηλής ισχύος εφαρμογές computing και στα πλάνα της είναι να επεκταθεί στους επε- ξεργαστές για φορητές συσκευές. «Η Samsung αναπτύχθηκε ραγδαία κα- θώς συνεχίζουμε να βρισκόμαστε σε ηγετική θέση στην εφαρμογή τεχνολο- γιών next-gen στη λιθογραφία, όπως το πρώτο “καλούπι” στη βιομηχανία για High-K Metal Gate, FinFET, και EUV. Επι- διώκουμε να συνεχίσουμε να βρισκόμα- στε σε αυτή τη θέση με το MBCFET, την πρώτη μέθοδο διεργασίας στα 3nm στον κόσμο», δήλωσε ο Δρ. Siyoung Choi, Πρόεδρος και Επικεφαλής του Foundry Business στη Samsung Electronics. Η αποκλειστική τεχνολογία της Samsung χρησιμοποιεί νανόφυλλα (nanosheets) με ευρύτερα κανάλια, τα οποία επιτρέ- πουν υψηλότερες επιδόσεις και μεγαλύ- τερη ενεργειακή απόδοση σε σύγκριση με τις τεχνολογίες GAA που χρησιμοποι- ούν νανοσύρματα (nanowires), με στε- νότερα κανάλια. Χρησιμοποιώντας την τεχνολογία 3nm GAA, η Samsung θα μπορεί να προσαρμόσει το πλάτος του καναλιού του νανόφυλλου προκειμένου να βελτιστοποιήσει τη χρήση ενέργειας και την απόδοση για να καλύψει ποικίλες ανάγκες των πελατών. Επιπλέον, η σχεδιαστική ευελιξία του GAA δίνει εξαιρετικά πλεονεκτήματα στο Design Technology Co-Optimization (DTCO), το οποίο συμβάλλει στην ενίσχυση των ωφελει- ών στους τομείς Power, Performance, Area (PPA). Σε σύγκριση με τη διαδικασία 5nm, η διαδικασία 3nm πρώτης γενιάς μπορεί να μει- ώσει την κατανάλωση ενέργειας έως και 45%, να βελτιώσει τις επιδόσεις κατά 23% και να μειώσει την επιφάνεια κατά 16% σε σύγκριση. Η διαδικασία 3nm δεύτερης γενιάς αναμένε- ται να μειώσει την κατανάλωση ενέργειας έως και 50%, να βελτιώσει τις επιδόσεις κατά 30% και να μειώσει την επιφάνεια κατά 35%. Η Intel έχει πει ότι θα είναι η επόμενη που θα χρησιμοποιήσει τεχνολογία Gate-All-Around, αλλά όχι πριν περά- σουν τουλάχιστον δύο χρόνια. Η TSMC θα είναι ο τελευταίος κατασκευαστής που θα αλλάξει σε GAA, το 2025. Η Samsung προ των «Πυλών» Του Στάθη Ασπιώτη