Αυτός ο ιστότοπος χρησιμοποιεί cookie ώστε να μπορούμε να σας παρέχουμε την καλύτερη δυνατή εμπειρία χρήστη. Οι πληροφορίες cookie αποθηκεύονται στο πρόγραμμα περιήγησης σας και εκτελούν λειτουργίες όπως η ανάγνωση σας όταν επιστρέφετε στον ιστότοπο μας και η βοήθεια της ομάδας μας να κατανοήσει ποιες ενότητες του ιστοτόπου θεωρείτε πιο ενδιαφέρουσες και χρήσιμες.
LATEST
Samsung V-NAND: QLC 9ης γενιάς V-NAND για προηγμένες λύσεις SSD
Η Samsung Electronics ανακοίνωσε ότι έχει ξεκινήσει τη μαζική παραγωγή της 9ης γενιάς NAND (V-NAND) τετραπλής κυψέλης (QLC) 1TB. Η Samsung σχεδιάζει να επεκτείνει τις εφαρμογές της QLC 9ης γενιάς V-NAND, ξεκινώντας με επώνυμα καταναλωτικά προϊόντα και συνεχίζοντας στους φορητούς Universal Flash Storage (UFS) υπολογιστές και SSD διακομιστών για πελάτες, συμπεριλαμβανομένων των παρόχων υπηρεσιών cloud.
Η QLC 9ης γενιάς V-NAND της Samsung συνδυάζει μια σειρά από καινοτομίες που έχουν οδηγήσει σε τεχνολογικές προόδους:
• Το Channel Hole Etching της Samsung χρησιμοποιήθηκε για την επίτευξη του μεγαλύτερου αριθμού στρωμάτων στον κλάδο με δομή διπλής στοίβας. Αξιοποιώντας την τεχνογνωσία που προήλθε από την TLC 9ης γενιάς V-NAND, η περιοχή των κυψελών και τα περιφερειακά κυκλώματα έχουν βελτιστοποιηθεί, επιτυγχάνοντας κορυφαία πυκνότητα bit, περίπου 86% υψηλότερη από εκείνη της TLC 9ης γενιάς V-NAND.
• Το Designed Mold προσαρμόζει την απόσταση των Word Lines (WL), για να διασφαλίσει την ομοιομορφία και τη βελτιστοποίηση των χαρακτηριστικών σε όλα τα επίπεδα. Αυτά τα χαρακτηριστικά γίνονται ολοένα και πιο σημαντικά, καθώς αυξάνεται ο αριθμός των επιπέδων V-NAND. Η υιοθέτηση του Designed Mold έχει βελτιώσει την απόδοση διατήρησης δεδομένων κατά περίπου 20% σε σύγκριση με τις προηγούμενες γενιές, γεγονός που βελτιώνει συνολικά την αξιοπιστία του προϊόντος.
• Το Predictive Program προβλέπει και ελέγχει τις αλλαγές κατάστασης κυψέλης για να ελαχιστοποιήσει τις περιττές ενέργειες. Η QLC 9ης γενιάς V-NAND της Samsung έχει διπλασιάσει την απόδοση εγγραφής και βελτίωσε την ταχύτητα εγγραφής και εισόδου των δεδομένων κατά 60%, χάρη στην πρόοδο αυτής της τεχνολογίας.
Η κατανάλωση ενέργειας που απαιτείται για την ανάγνωση και εγγραφή των δεδομένων μειώθηκε περίπου κατά 30% και 50% αντίστοιχα, με τη χρήση της τεχνολογίας Low-Power Design. Αυτή η μέθοδος μειώνει την τάση που οδηγεί τις NAND κυψέλες και ελαχιστοποιεί την κατανάλωση ενέργειας ανιχνεύοντας μόνο τις απαραίτητες γραμμές bit (BL).