Η Samsung προ των «Πυλών»

Του Στάθη Ασπιώτη

Η Samsung Electronics, γνωστός κατασκευαστής ημιαγωγών, ξεκίνησε την αρχική παραγωγή λιθογραφικής διεργασίας 3 νανομέτρων (nm) με την αρχιτεκτονική τρανζίστορ Gate-All-Around (GAA).

Multi-Bridge-Channel FET (MBCFET) ονομάζεται η τεχνολογία GAA της Samsung, που εφαρμόζεται για πρώτη φορά, αψηφά τους περιορισμούς απόδοσης του FinFET, βελτιώνοντας την απόδοση ισχύος, μειώνοντας το επίπεδο τάσης τροφοδοσίας, ενώ παράλληλα βελτιώνει τις επιδόσεις αυξάνοντας την ικανότητα ρεύματος κίνησης.

Η Samsung ξεκινά την πρώτη εφαρμογή nanosheet τρανζίστορ με τσιπ ημιαγωγών για υψηλών επιδόσεων-χαμηλής ισχύος εφαρμογές computing και στα πλάνα της είναι να επεκταθεί στους επεξεργαστές για φορητές συσκευές.

«Η Samsung αναπτύχθηκε ραγδαία καθώς συνεχίζουμε να βρισκόμαστε σε ηγετική θέση στην εφαρμογή τεχνολογιών next-gen στη λιθογραφία, όπως το πρώτο “καλούπι” στη βιομηχανία για High-K Metal Gate, FinFET, και EUV. Επιδιώκουμε να συνεχίσουμε να βρισκόμαστε σε αυτή τη θέση με το MBCFET, την πρώτη μέθοδο διεργασίας στα 3nm στον κόσμο», δήλωσε ο Δρ. Siyoung Choi, Πρόεδρος και Επικεφαλής του Foundry Business στη Samsung Electronics.

Η αποκλειστική τεχνολογία της Samsung χρησιμοποιεί νανόφυλλα (nanosheets) με ευρύτερα κανάλια, τα οποία επιτρέπουν υψηλότερες επιδόσεις και μεγαλύτερη ενεργειακή απόδοση σε σύγκριση με τις τεχνολογίες GAA που χρησιμοποιούν νανοσύρματα (nanowires), με στενότερα κανάλια. Χρησιμοποιώντας την τεχνολογία 3nm GAA, η Samsung θα μπορεί να προσαρμόσει το πλάτος του καναλιού του νανόφυλλου προκειμένου να βελτιστοποιήσει τη χρήση ενέργειας και την απόδοση για να καλύψει ποικίλες ανάγκες των πελατών.

Επιπλέον, η σχεδιαστική ευελιξία του GAA δίνει εξαιρετικά πλεονεκτήματα στο Design Technology Co-Optimization (DTCO), το οποίο συμβάλλει στην ενίσχυση των ωφελειών στους τομείς Power, Performance, Area (PPA). Σε σύγκριση με τη διαδικασία 5nm, η διαδικασία 3nm πρώτης γενιάς μπορεί να μειώσει την κατανάλωση ενέργειας έως και 45%, να βελτιώσει τις επιδόσεις κατά 23% και να μειώσει την επιφάνεια κατά 16% σε σύγκριση. Η διαδικασία 3nm δεύτερης γενιάς αναμένεται να μειώσει την κατανάλωση ενέργειας έως και 50%, να βελτιώσει τις επιδόσεις κατά 30% και να μειώσει την επιφάνεια κατά 35%.

Η Intel έχει πει ότι θα είναι η επόμενη που θα χρησιμοποιήσει τεχνολογία Gate-All-Around, αλλά όχι πριν περάσουν τουλάχιστον δύο χρόνια. Η TSMC θα είναι ο τελευταίος κατασκευαστής που θα αλλάξει σε GAA, το 2025.

Τεύχος 101